Navitas Semiconductor (NVTS), GlobalFoundries (GFS) ile iş birliği kapsamında ABD’de üretilen 5. Nesil GaNFast teknolojisinin ilk sevkiyatlarına eylül ayında başlayacağını açıkladı.
Şirketin verdiği bilgiye göre, ilk ürün ailesinde 650 V galyum nitrür alan etkili transistörler yer alacak. Bu transistörlerin RDS [ON] değerleri ise 11 milliohm, 18 milliohm, 50 milliohm, 120 milliohm ve 150 milliohm olarak sıralandı. Navitas, Gen 5 GaNFast yarı iletkenlerini Vermont’taki tesisinde üretime uygun şekilde geliştirdi.
Şirket, ilk wafer sevkiyatlarının eylül ayında yapılmasının planlandığını, dahili örneklerin ekim ayında, stratejik müşterilere yönelik örneklerin ise yıl sonundan önce teslim edileceğini belirtti.
Navitas hisseleri, salı günü piyasa öncesi işlemlerde %4 değer kaybetti.
Bu içerik hazırlanırken faydalanılan kaynaklar: MT Newswires
