Yarı iletken üreticisi GlobalFoundries (GFS), çarşamba günü ABD hükümetinden 9,5 milyon dolar ek federal fon aldığını duyurdu. Bu fon, şirketin Vermont’taki Essex Junction tesisinde silikon yarı iletkenler üzerinde Galyum Nitrat (GaN) üretimini ilerletmek için kullanılacak.
Bu finansman, şirketi otomotiv, havacılık, savunma ve veri merkezleri gibi endüstriler için kritik öneme sahip yüksek performanslı, enerji verimli uygulamalarda kullanılan GaN çiplerinin büyük ölçekli üretimine bir adım daha yaklaştırıyor.
GaN çip teknolojisi, yüksek voltaj ve sıcaklıkları işlemede üstün yetenekler sunarak radyo frekansı (RF) ve yüksek güçlü kontrol sistemleri için ideal hale geliyor.
Bu yeni yatırımla GlobalFoundries, GaN portföyünü genişletecek, üretimi artırmak ve prototip oluşturma ile güvenilirlik testlerini iyileştirmek için daha fazla araç ve ekipman ekleyecek. Şirket, müşterilerin GaN’ın güç ve enerji verimliliği avantajlarını kullanarak yenilikçi ürünler geliştirmesi için daha hızlı ve verimli bir yol sağlamayı hedefliyor.
GlobalFoundries’in IoT ve Havacılık ve Savunma Başkan Yardımcısı Nicholas Sergeant, şirketin enerji verimli RF performansı ve daha hızlı şarj olan, daha uzun ömürlü pilleri desteklemesi beklenen GaN teknolojisindeki liderliğinden gurur duyduğunu belirtti.
ABD Savunma Bakanlığı’nın Güvenilir Erişim Programı Ofisi tarafından sağlanan bu fon, ABD yarı iletken tedarik zincirini güçlendirmeye yönelik devam eden federal yatırımın bir parçası.
GlobalFoundries, 2020’den bu yana GaN programı için 80 milyon dolardan fazla devlet desteği aldı.
Şirketin Vermont tesisi, 200mm yarı iletken üretiminde küresel bir lider olmaya devam ederken, Hindistan’ın Kalküta kentindeki yeni GaN Güç Merkezi de yeteneklerini genişletmeye yardımcı oluyor.
Burada yer alan bilgiler yatırım tavsiyesi içermez. Bilgi için: Midas Sorumluluk Beyanı
Bu içerik hazırlanırken faydalanılan kaynak: Benzinga
