STMicroelectronics (STM) ve Innoscience, yapay zekâ veri merkezleri, yenilenebilir enerji sistemleri, elektrikli araçlar ve daha fazlası için yeni nesil güç elektroniğinin kilit bileşeni olan galyum nitrür (GaN) teknolojisini geliştirmek ve üretmek üzere stratejik bir ortaklık kurdu.
Pazartesi günü duyurulan iş birliği, GaN güç çözümlerini güçlendirmeyi hedefliyor.
GaN güç cihazları, geleneksel silikon tabanlı muadillerine kıyasla daha yüksek verimlilik, daha küçük boyut ve daha az enerji dağılımı sunuyor.
Bu avantajlar, yapay zekâ veri merkezlerinde, tüketici cihazlarında, güneş enerjisi dönüştürücülerinde ve endüstriyel güç sistemlerinde kullanım için uygun hale getiriyor.
Ayrıca bu teknoloji, ağırlığı ve boyutu en aza indirirken genel performansı artırmaya yardımcı olduğu için elektrikli araç güç aktarma organlarında giderek daha popüler hale geliyor.
Innoscience’ın Kurucusu ve Yönetim Kurulu Başkanı Weiwei Luo, “GaN teknolojisi, elektroniği iyileştirmek, daha küçük ve daha verimli sistemler oluşturmak, elektrik gücünden tasarruf etmek, maliyeti düşürmek ve CO2 emisyonlarını azaltmak için çok önemli. Innoscience, 8 inçlik GaN teknolojisinin seri üretimine öncülük etti ve birden fazla pazara 1 milyardan fazla GaN cihazı gönderdi. ST ile stratejik iş birliğine girmekten çok heyecanlıyız.” dedi.
Ortaklık, Innoscience’ın GaN wafer’ları üretmek için STMicroelectronics’in Avrupa’daki üretim tesislerinden yararlanmasına olanak tanırken, STMicroelectronics de Innoscience’ın Çin’deki ön uç üretim tesislerinden faydalanabilecek.
Bu karşılıklı erişimin tedarik zinciri uyarlanabilirliğini ve güvenilirliğini güçlendirmesi bekleniyor. İki şirket, kendi uzmanlık alanlarından yararlanarak GaN güç çözümlerinin istikrarlı ve güvenli bir şekilde tedarik edilmesini sağlamayı hedefliyor.
Burada yer alan bilgiler yatırım tavsiyesi içermez. Bilgi için: Midas Sorumluluk Beyanı
Bu içerik hazırlanırken faydalanılan kaynak: Benzinga
Görsel kaynak: Shutterstock
