Samsung Electronics (SSNLF), en yeni yapay zekâ (AI) bellek portföyünü ve teknoloji yol haritasını tanıttı.
Şirket, zHBM ve zNAND-O konsept modellerinin ön gösterimini, 400’ün üzerinde katmana sahip yeni V10 BV-NAND ürününü ve geleceğin yapay zekâ altyapısını geliştirmeye yönelik çeşitli çözümlerini duyurdu. V10 BV-NAND, yeni bir wafer bonding teknolojisiyle mümkün kılınan bir mimariye sahip.
Güney Koreli teknoloji devi ayrıca, Santa Clara, California’da düzenlenen Future of Memory and Storage (FMS) 2026 etkinliğinde, AI bulut sunucularından ilham alan standında yaklaşık 30 bellek ve depolama teknolojisini sergiledi.
zHBM ve zNAND-O, Samsung’un yeni nesil 3D bellek mimarileri vizyonunu temsil ediyor. Gelişmiş yapay zekâ hesaplamaları için tasarlanan zHBM, Yüksek Bant Genişlikli Bellek’in (HBM) doğrudan AI hızlandırıcılarının üzerine dikey olarak yerleştirildiği yeni bir mimari sunuyor. Böylece, geleneksel olarak HBM’nin işlemcinin yanında konumlandırıldığı tasarımların ötesine geçiliyor.
Samsung, veri yolunu kısaltarak zHBM’nin daha yüksek bant genişliği ve daha iyi enerji verimliliği sağladığını, bu sayede büyük ölçekli yapay zekâ eğitimi ve çıkarımı için gereken ultra hızlı veri işleme kapasitesine ulaşıldığını belirtti. Şirket, zHBM’nin yeni nesil arayüz sistemiyle HBM5’e kıyasla yaklaşık sekiz kat daha yüksek performans sunmasının beklendiğini, wafer bonding teknolojisiyle ise HBM5’in 10 katından fazla bellek yoğunluğuna ve üç kat daha iyi enerji verimliliğine ulaşılabileceğini açıkladı.
zNAND-O ise Samsung’un V-NAND teknolojisi üzerine inşa edilen, dört ve sekiz katmanlı versiyonları geliştirilen yeni nesil yüksek performanslı bir NAND çözümü olarak öne çıkıyor.
V10 BV-NAND ise yeni Bonding V-NAND mimarisiyle 400’ün üzerinde katmana sahip. Bu ürün, önceki nesil V9’a göre bellek yoğunluğunu yaklaşık %58 artırırken, performans ve enerji verimliliğinde de önemli iyileşmeler sunuyor.
Samsung ayrıca HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM, PM1763 ve BM1773 gibi en yeni AI bellek ve depolama portföyünü de tanıtarak, yeni nesil yapay zekâ hesaplama ve veri merkezi altyapısı için yol haritasını paylaştı.
Öte yandan, SK hynix (SKHY) (HXSCL) ve Sandisk (SNDK), yeni nesil depolama teknolojisi olan High Bandwidth Flash (HBF) için ilk standartları açıkladı.
Samsung ve SK hynix, dünyanın en büyük bellek çip üreticileri arasında yer alıyor. ABD’li Micron Technology (MU) da Nvidia’ya (NVDA) HBM çip tedarikinde Samsung ve SK hynix ile rekabet ediyor.
Ayrıca, Samsung, SK hynix ve Micron’un 2027 yılı için öngörülen bellek tedariklerinin tamamen satıldığı ve ek kapasite planlanmadığı bildirildi.
Counterpoint Research’e göre Samsung, 2026’nın ikinci çeyreğinde DRAM pazarında %39 pay ile liderliğini sürdürdü.
Bu içerik hazırlanırken faydalanılan kaynaklar: Seeking Alpha
